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METHOD FOR FORMING SILICON PARTICLE LAYER AND METHOD FOR FORMING SILICON FILM

Seeds code S130010257
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)松木 安生
  • (In Japanese)下田 達也
  • (In Japanese)申 仲▲榮▼
  • (In Japanese)川尻 陵
Name of technology METHOD FOR FORMING SILICON PARTICLE LAYER AND METHOD FOR FORMING SILICON FILM
Technology summary (In Japanese)ケイ素粒子層の形成は、ケイ素粒子を含有する液状組成物に、カソードおよびアノードからなる一対の電極を浸漬し、この一対の電極間に電界を発生させてカソード上にケイ素粒子を堆積することにより行うことを特徴とする。このケイ素粒子は、四ハロゲン化ケイ素と、ナトリウムナフタレニド、ナトリウムビフェニリド、ナトリウム-4、4‘-ジ-t-ブチルビフェニリドおよびナトリウム-8-(N、N-ジメチルアミノ)ナフタレニドよりなる群から選択される金属系還元剤とを、金属系還元剤に含まれる金属原子と四ハロゲン化ケイ素に含まれるケイ素原子とのモル比(M/Si)が1~10となる割合で反応させて得られる反応生成物である。そして、シリコン膜は、前記方法により形成されたケイ素粒子層を有するカソードを加熱することによって、カソード上のケイ素粒子層をシリコン膜に変換することにより形成される。この加熱工程は、不活性雰囲気下または還元性雰囲気下で行うことが好ましい。また、加熱工程は、一段階または多段階で行うことができるが、一段階加熱または二段階加熱が好ましい。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2009-013409.GIF
Research field
  • Metallic thin films
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Materials of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)ケイ素を主成分として含有する合金膜またはシリコン膜の形成に有用なケイ素粒子層の形成方法、および高純度のシリコン膜を形成するための簡易な方法を提供する。
シリコン前駆体成分が、その原料に由来するアルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩を不純物として含んでいる場合であっても、精製を要せずに、高純度のシリコン膜または高性能のケイ素合金膜に変換することができるケイ素粒子層の形成方法、およびそのケイ素粒子層を用いて行うシリコン膜の形成方法が提供される。
Usage Use field (In Japanese)ケイ素粒子層、高純度シリコン膜、高性能ケイ素合金膜、シリコン膜、ケイ素合金膜、薄膜トランジスター、太陽電池、導電性シリコン膜、炭素基板
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)JSR株式会社, 独立行政法人科学技術振興機構, . (In Japanese)松木 安生, 下田 達也, 申 仲▲榮▼, 川尻 陵, . METHOD FOR FORMING SILICON PARTICLE LAYER AND METHOD FOR FORMING SILICON FILM. P2010-168633A. Aug 5, 2010
  • C25D  13/02     
  • C25D  13/22     

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