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N-TYPE SEMICONDUCTOR THIN FILM, HOMOGENEOUS PN-JUNCTION ELEMENT AND THIN-FILM SOLAR BATTERY, AND METHOD OF MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND HOMOGENEOUS PN-JUNCTION ELEMENT

Seeds code S130010275
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)細野 秀雄
  • (In Japanese)神谷 利夫
  • (In Japanese)平野 正浩
  • (In Japanese)小郷 洋一
  • (In Japanese)平松 秀典
  • (In Japanese)野村 研二
Name of technology N-TYPE SEMICONDUCTOR THIN FILM, HOMOGENEOUS PN-JUNCTION ELEMENT AND THIN-FILM SOLAR BATTERY, AND METHOD OF MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND HOMOGENEOUS PN-JUNCTION ELEMENT
Technology summary (In Japanese)3eV以下のバンドギャップを有するpn制御可能な酸化物半導体を実現するために間接遷移で0.7eVのバンドギャップ、直接遷移で2.7eVのバンドギャップを有するp型酸化物半導体SnOに対して電子ドーピングを行った。このSnO粉末にAl3+、Ga3+、In3+、Sb3+から選ばれる3価の陽イオン源の酸化物粉末を添加混合して焼結したSnOターゲットを用いて物理的成膜法により、SnOからなるn型半導体薄膜3を製造した。また、SnO粉末を焼結したSnOターゲットを用いて物理的成膜法により成膜したp型SnO薄膜1,2と、n型SnO薄膜3とを積層した。これにより、2eV以上3eV未満のバンドギャップを有し、かつpn制御可能な酸化物半導体を提供することが可能になり、SnOからなるp型とn型のホモpn接合素子を実現した。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2009-276867.gif
Research field
  • Solar cell
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)現在の薄膜太陽電池で吸収しきれていない光を有効に利用するために、バンドギャップが2eV以上3eV未満でありpn両極性に電気特性を制御できる半導体を提供する。
ホモpn接合をSnOを用いて形成できる。Cu(InGa)Se2を用いた太陽電池上にSnOによるpn接合を作製することで2.7eV以上のエネルギーを持つ光を発電に利用できるようになり、発電効率の向上ができる。
Usage Use field (In Japanese)薄膜太陽電池
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)細野 秀雄, 神谷 利夫, 平野 正浩, 小郷 洋一, 平松 秀典, 野村 研二, . N-TYPE SEMICONDUCTOR THIN FILM, HOMOGENEOUS PN-JUNCTION ELEMENT AND THIN-FILM SOLAR BATTERY, AND METHOD OF MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND HOMOGENEOUS PN-JUNCTION ELEMENT. P2011-119547A. Jun 16, 2011
  • H01L  31/04     

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