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COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM

Seeds code S130010312
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)下田 達也
  • (In Japanese)李 金望
Name of technology COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM
Technology summary (In Japanese)導電性膜形成用組成物は、ストロンチウムのカルボン酸塩と、ルテニウムのカルボン酸塩と、溶媒と、を含有し、溶媒はケトンおよびカルボン酸よりなる群から選択される少なくとも1種を含有する。この導電性膜形成用組成物は、これらのほか、任意的にチタンのカルボン酸塩などをさらに含有することができる。ストロンチウムのカルボン酸塩およびルテニウムのカルボン酸塩ならびに任意的に使用されるチタンのカルボン酸塩としては、それぞれ、炭素数1~10のアルキル基を有するカルボン酸の塩であることが好ましく、炭素数1~8のアルキル基を有するカルボン酸の塩であることがより好ましく、例えば酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、2-エチルヘキサン酸塩などであることができる。これらのうち、塩の入手または合成のしやすさからプロピオン酸塩または2-エチルヘキサン酸塩が好ましく、溶解性の観点から2-エチルヘキサン酸塩が特に好ましい。ストロンチウムのカルボン酸塩、ルテニウムのカルボン酸塩およびチタンのカルボン酸塩のいずれも、無水塩であっても含水塩であってもよい。他に導電性膜の形成方法、導電性膜の発明あり。
Research field
  • Transistors
Seeds that can be deployed (In Japanese)ペロブスカイト型結晶構造を有するストロンチウム-ルテニウム酸化物系導電性膜(SRO膜)は、優れた導電性から各種電極材料としての応用が期待されている。そこで、ストロンチウム-ルテニウム酸化物系導電性膜を形成することができ、長期安定性およびプロセス性に優れる導電性膜形成用組成物、およびストロンチウム-ルテニウム酸化物系導電性膜を形成することができ、簡易であるとともに高温加熱を要しない導電性膜の形成方法を提供する。
オンサイトで容易且つ迅速に調製することができる利点があるほか、組成物中の水分の含有割合を制御しなくとも保存安定性に優れるため、長期間保存した後の組成物であっても有効に利用することができる。この方法によって形成された導電性膜は、その加熱温度によって結晶性の高いペロブスカイト型のSRO膜または結晶性を有さない新規な導電性膜となる。この導電性膜形成用組成物およびそれから形成された導電性膜は、各種電極材料、電極と強誘電体キャパシタとの間のバリア層、強誘電体ゲートトランジスタのチャネルなどの用途に好適である。
Usage Use field (In Japanese)強誘電体ゲートトランジスタ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)下田 達也, 李 金望, . COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM. P2011-228178A. Nov 10, 2011
  • H01B  13/00     
  • H01B   5/14     
  • H01B   1/20     
  • C01G  55/00     
  • C30B  29/22     

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