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FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Seeds code S130010315
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)金田 敏彦
  • (In Japanese)下田 達也
  • (In Japanese)宮迫 毅明
  • (In Japanese)▲徳▼光 永輔
Name of technology FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Technology summary (In Japanese)図1に示すように、電界効果トランジスタ100は、ソース領域144及びドレイン領域146並びにチャネル領域142を含む酸化物導電体層140と、チャネル領域142の導通状態を制御するゲート電極120と、ゲート電極120とチャネル領域142との間に形成され強誘電体材料からなるゲート絶縁層130とを備える。チャネル領域142の層厚は、ソース領域144の層厚及びドレイン領域146の層厚よりも薄い。たとえば、ゲート電極は無電解めっきによる白金、ゲート絶縁材料はPZT、チャネル層はITOが使用される。まず、図2(a)に示すように、絶縁性基板110における一方の表面に、少なくとも凸部分にめっき触媒物質としてのめっき触媒微粒子122を付着させておいた凹凸型M1を押付けることにより、図2(b)に示すように、絶縁性基板110におけるゲート電極120を形成する部分にめっき触媒微粒子122を付着させる。次に、無電解めっきを施すことにより、めっき触媒微粒子が付着した領域に白金からなるゲート電極120を形成する。以下、電界効果トランジスタの各要素を液体材料および型押し成形加工技術により成形する。
Drawing

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Research field
  • Transistors
Seeds that can be deployed (In Japanese)真空プロセスやフォトリソグラフィープロセスを用いることなく、従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
電界効果トランジスタの各要素を液体材料および型押し成形加工技術を用いて形成することにより、電気的特性の優れた電界効果トランジスタを、従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能となる。
Usage Use field (In Japanese)薄膜トランジスタ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, セイコーエプソン株式会社, . (In Japanese)金田 敏彦, 下田 達也, 宮迫 毅明, ▲徳▼光 永輔, . FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. P2011-238715A. Nov 24, 2011
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    
  • H01L  29/423    
  • H01L  29/49     
  • H01L  21/28     

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