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FERROELECTRIC MATERIAL LAYER MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR AND PIEZOELECTRIC INKJET HEAD

Seeds code S130010318
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)下田 達也
  • (In Japanese)▲徳▼光 永輔
  • (In Japanese)金田 敏彦
Name of technology FERROELECTRIC MATERIAL LAYER MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR AND PIEZOELECTRIC INKJET HEAD
Technology summary (In Japanese)表面にSiO2層が形成されたSi基板からなる絶縁性基板22上にTi及びPtの積層膜からなる下電極24が形成された基材20を準備する(図1(a))。次に、基材20における下電極24上に、スピンコート法を用いて上記したPZTゾルゲル溶液を塗布し、150℃で5分間乾燥させることにより、強誘電体材料(PZT)の前駆体組成物層30aを形成する(図1(b))。次に、中央部が凸となるように形成された凹凸型M1を用いて前駆体組成物層30aに対して型押し加工を施す(図1(c)~図1(e))。型押し加工を施すときの圧力は最大5MPa、温度は225℃とする。次に、前駆体組成物層30bを400℃のホットプレート上に10分間載置した後、RTA装置を用いて高温で(650℃、30分間)熱処理することにより、強誘電体材料層(PZT層)30が完成する(図1(f))。次に、強誘電体材料層(PZT層)30の中央部(強誘電体材料層32)及び周辺部34(強誘電体材料層34)に、金からなる上電極を形成するとともに強誘電体材料層(PZT層)30の周辺部(強誘電体材料層34)の一部を除去し、下電極24を露出させる。
Drawing

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thum_2010-118857.gif
Research field
  • Transistors
Seeds that can be deployed (In Japanese)強誘電体材料層の電気特性をより一層向上させ、それを用いた高性能な薄膜トランジスタおよび圧電式インクジェットヘッドを提供することを目的とする。
液体機能性材料を用いた型押し加工法により優れた電気特性(例えば、高残留分極特性、低リーク電流特性など。)を有する強誘電体膜を製造することが可能となるので、それを用いた高性能な薄膜トランジスタおよび圧電式インクジェットヘッドを製造することが出来る。
Usage Use field (In Japanese)薄膜トランジスタ、圧電式インクジェットヘッド
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, セイコーエプソン株式会社, . (In Japanese)下田 達也, ▲徳▼光 永輔, 金田 敏彦, . FERROELECTRIC MATERIAL LAYER MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR AND PIEZOELECTRIC INKJET HEAD. P2011-249432A. Dec 8, 2011
  • H01L  29/786    
  • B41J   2/16     
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  41/22     

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