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(In Japanese)光デバイス

Seeds code S022000043
Posted date May 26, 2003
Researchers
  • (In Japanese)中野 義昭
Affiliation
  • (In Japanese)東京大学 大学院工学系研究科
Research organization
  • (In Japanese)東京大学 大学院工学系研究科
Name of technology (In Japanese)光デバイス
Technology summary (In Japanese)光情報通信で重要な光波長変換器、光波形整形器、全光スイッチなどとして利用することのできる半導体光デバイスを発明した。この新技術による光デバイスの構成例を図に示す。図中の矢印は入力光と出力光、1は半導体基板、2と5は第1と第2のクラッド層、3は活性層、4はエッチングストップ層、6はキャップ層、7と8は第2と第1の電極、9と10は入射面と出射面、11はバイアス源である。
Drawing

※Click image to enlarge.

S022000043_01SUM.gif S022000043_02SUM.gif S022000043_03SUM.gif
Outline of related art and contending technology (In Japanese)従来の全光スイッチは構造が複雑で作製が困難なため高価、また入出力伝達特性が周期的でデジタル特性を持たない。
Research field
  • Optical transmission devices
  • Optical modulators
Seeds that can be deployed (In Japanese)(1)極めてシンプルな構造の光デバイス
(2)デジタル的入出力伝達特性及び拡大可能な消光比を持つ光デバイス
(3)非反転動作の光デバイス
Usage Use field (In Japanese)波長分割多重(WDM)光通信システム
光時分割多重(OTDM)光通信システム
全光情報処理
Published papers related (In Japanese)(1)JEONG S‐H, 水本哲弥, KIM H‐C, WIEDMANNJ, 荒井滋久, 竹中充, 中野義昭. DFB導波路形偏光無依存全光スイッチ. 電子情報通信学会大会講演論文集. vol.2002,エレクトロニクス1,2002,p.449‐450.
(2)加藤正樹, 中野義昭. MQW‐EA変調器における光誘起屈折率変化を利用した全光デバイスの特性. 電子情報通信学会技術研究報告. vol.101,no.510(PS200136‐64),2001,p.157‐162.
(3)加藤正樹, 中野義昭, . InGaAs/InAlAsMQW‐EA変調器を用いた全光デバイスの波長依存性の解析. 電子情報通信学会大会講演論文集. Vol.2001,エレクトロニクス1,2001,p.346.
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人東京大学, . (In Japanese)中野 義昭, 馬 炳眞, . OPTICAL DEVICE. P2000-347230A. Dec 15, 2000
  • G02F  1/025     
  • G02F  2/02      
  • H01S  5/50    610

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