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(In Japanese)局所電界分布可視化方法とその装置

Seeds code S130010360
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)藤田 淳一
Name of technology (In Japanese)局所電界分布可視化方法とその装置
Technology summary (In Japanese)電子線走査光学系において、試料2の近傍に形成される局所電界の分布を可視化する方法であって、試料2の近傍に形成された局所電界を通過する1次電子線1を局所電界により偏向させる。そして、偏向した1次電子線1の軌道の下流側に設けた検出素子から生成放出した2次電子を2次電子検出器6で検出し、その検出した信号による画像を、試料を走査して得られる走査電子線画像と合成する。その結果、局所電界の分布を多階調で可視化できる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2010-502901.gif
Research field
  • Microscopy determination of structures
  • Measurement, testing and reliability of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)ナノ構造体の開発や評価、さらにはナノ構造体やMEMS等の、局所電界に依存する機械的歪み解析や動作解析のための手段としての重要性が一層高まりつつある局所電界分布を、1度の画像走査で多階調的に、かつリアルタイムで求めることができる、新しい局所電界分布可視化方法とその装置を提供する。また、局所電界分布の2次元マッピングを行うことができる、新しい局所電界分布可視化方法とその装置を提供する。
ナノギャップデバイスを含む電子デバイス構造体等の試料に電位を付与したときに試料の近傍に形成される局所電界分布の画像を、SEM画像中に合成し多階調で可視化でき、さらにリアルタイムの変化を追跡することが可能となる。これによって、ナノ構造体や電子デバイス構造体等の試料のナノスケールでの微細または微小な構造や形状、そして元素構成等に由来する特有な局所電界分布の特徴、特性、機能とその変化をリアルタイムで把握できることから、得られた可視化情報はナノ構造体の開発、そして解析にとって極めて重要な貢献を果たすことができる。
Usage Use field (In Japanese)局所電界分布可視化装置、局所電界分布特性評価装置、固体デバイス、CNTトランジスタ、発光、吸光素子、電子放出素子
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)藤田 淳一, . (In Japanese)局所電界分布可視化方法とその装置. . Jul 21, 2011
  • G01N  23/225    

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