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(In Japanese)pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法

Seeds code S130010366
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)細野 秀雄
  • (In Japanese)神谷 利夫
  • (In Japanese)平野 正浩
  • (In Japanese)小郷 洋一
  • (In Japanese)野村 研二
  • (In Japanese)平松 秀典
Name of technology (In Japanese)pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法
Technology summary (In Japanese)下記(1)~(5)を特徴とするpチャネル薄膜トランジスタである。(1)酸化第一スズ(SnO)薄膜を薄膜トランジスタの基板上に堆積し、チャネル層とする。(2)酸化第一スズ薄膜中のSn4+及びSn0(錫金属)の含有量が、合計で10原子%未満である。(3)基板が(001)YSZ単結晶基板であり、SnO薄膜がエピタキシャル膜である。(4)基板がガラス又はプラスチックであり、SnO薄膜がアモルファス膜である。(5)正孔移動度が0.1cm2/V・秒以上である。また、気相法において、SnOをターゲットとして用いて、基板上に堆積するSnの酸化度合いを基板温度及び雰囲気酸素分圧により制御し、Sn2+イオンの含有量が90原子%以上のSnO薄膜を成膜することによりチャネル層を形成し その気相法がパルスレーザ堆積法(PLD法)であり、基板として(001)YSZ単結晶基板を用い、基板温度550℃以上、590℃以下としてエピタキシャル膜を堆積することを特徴とするpチャネル薄膜トランジスタの製造方法である。
Research field
  • Oxide thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)酸化第一スズ(SnO)半導体を活性層としたpチャネル薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。
CMOS回路用など実用回路に用いることができるpチャネルで動作する正孔移動度が0.1cm2(Vs)-1以上の酸化物TFTを提供できる。
Usage Use field (In Japanese)有機LED(OLED)デバイス、フラットパネルディスプレイ、CMOS、TFT
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)細野 秀雄, 神谷 利夫, 平野 正浩, 小郷 洋一, 野村 研二, 平松 秀典, . (In Japanese)pチャネル薄膜トランジスタとその製造方法. . Jan 5, 2012
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/336    
  • H01L  21/205    

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