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HIGH-EFFICIENCY GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT-EMITTING DIODE PROVIDED BY SURFACE ROUGHENING

Seeds code S130010380
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)藤井 哲雄
  • (In Japanese)ヤン・ガオ
  • (In Japanese)イーブリン・エル・フー
  • (In Japanese)シュウジ・ナカムラ
Name of technology HIGH-EFFICIENCY GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT-EMITTING DIODE PROVIDED BY SURFACE ROUGHENING
Technology summary (In Japanese)このLEDは、n型電極40、n型層42、活性領域44、p型層46、および、p型電極48を含む。p型電極48は、n型 電極54を含むシリコン(Si)サブマウント52に、ハンダ層50を介して、フリップチップボンディングされている。n型層42、活性領域44、および、p型層46は、(B、Al、Ga、In)N合金から成る。ドライエッチングまたはPECエッチング方法が、n型層42の表面を粗くするために用いられる。一方の表面がGa面であれば、他方の表面はN面である。結晶成長とデバイス性能の観点から、Ga面c平面GaNが一般的には好ましいため、N面GaNはLLO技術によって準備される必要があるか、あるいは、LED構造がc平面バルクのGaNウェハーに成長され得る。表面を粗くしたn型GaN表面42へ向かって活性領域44から発生する光は、表面によって散乱される。これは、活性領域に光を戻すような反射にはならない。p型電極48は反射率が高い特性を有することが望ましい。それは、光吸収を減らし、n型GaN表面42に向けての光反射を増やすためである。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2011-013852.gif
Research field
  • Light emitting devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)GaNベースのLEDの表面を粗くすることによって、光取り出し効率を向上させる手段を提供する。
表面を粗くしたLEDの上向きの光出力は、平坦な表面のLEDに比べ、2倍から3倍増加する。
Usage Use field (In Japanese)LED、LED照明機器
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア, 国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)藤井 哲雄, ヤン・ガオ, イーブリン・エル・フー, シュウジ・ナカムラ, . HIGH-EFFICIENCY GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT-EMITTING DIODE PROVIDED BY SURFACE ROUGHENING. P2011-082587A. Apr 21, 2011
  • H01L  33/22     
  • H01L  33/32     

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