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MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT

Seeds code S130010410
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)湯浅 新治
Name of technology MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT
Technology summary (In Japanese)磁気抵抗素子は、BCC構造を有するFe系合金であって(001)結晶面が優先配向した単結晶または(001)結晶面が優先配向した多結晶からなる第1の強磁性体層と、BCC構造を有するFe系合金であって(001)結晶面が優先配向した単結晶または(001)結晶面が優先配向した多結晶からなる第2の強磁性体層と、前記第1の強磁性体層と前記第2の強磁性体層との間に位置するトンネル障壁層とを有し、該トンネル障壁層は、(001)結晶面が優先配向した単結晶MgO、又は(001)結晶面が優先配向した多結晶MgOを含み、前記(001)結晶面が優先配向した単結晶MgO、又は(001)結晶面が優先配向した多結晶MgOのトンネル障壁の高さφが0.2~0.5eVであることに特徴がある。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2011-226906.gif
Research field
  • Magnetoelectric devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)従来の磁気抵抗素子(TMR素子)に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくしたTMR素子を提供する。
このTMR素子は、従来のTMR素子に比べて大きな磁気抵抗を得ることができ、TMR素子の出力電圧を大きくすることができ、かつTMR素子の抵抗値をMRAMに最適な低抵抗にすることができる。従って、TMR素子を用いたMRAMの高集積化が容易になる。
Usage Use field (In Japanese)磁気抵抗素子、記憶装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, 国立研究開発法人産業技術総合研究所, . (In Japanese)湯浅 新治, . MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT. P2012-033957A. Feb 16, 2012
  • H01L  43/08     
  • H01L  27/105    
  • H01L  21/8246   
  • H01L  43/10     

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