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CRYSTALLINE POROUS SILICATE HAVING TOPOLOGY OF MCM-68 AND ITS MANUFACTURING METHOD

Seeds code S130010604
Posted date Jun 6, 2013
Researchers
  • (In Japanese)窪田 好浩
  • (In Japanese)小山 啓人
Name of technology CRYSTALLINE POROUS SILICATE HAVING TOPOLOGY OF MCM-68 AND ITS MANUFACTURING METHOD
Technology summary (In Japanese)組成式;R4Si112-nO232-mH8+4n-2mで表され、次のX線回折パターンをもつ結晶性多孔質シリケートである。2θ(単位:度)=6.88±0.10、8.16±0.10、8.84±0.10、9.72±0.10、19.48±0.10、21.82±0.10、22.70±0.10、23.24±0.10、ただし、2θ=23.24±0.10のピークの半値幅は0.20度以下である。式中、n=0~12、m=0~n、RはN,N,N,N-テトラアルキルビシクロ[2.2.2]オクト-7-エン-2,3:5,6-ジピロリジニウムである。この結晶性多孔質シリケートは、(1)シリカ源、(2)N,N,N,N-テトラアルキルビシクロ[2.2.2]オクト-7-エン-2,3:5,6-ジピロリジニウムの水酸化物又はハロゲン化物、(3)アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、及び(4)水との混合物を乾燥して、粉末状のドライゲルとするドライゲル化工程と、得られたドライゲルを飽和蒸気圧の水蒸気と接触させた状態で反応させる重合工程とから成る製法により得られる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2006-244056.gif
Research field
  • Inorganic chemicals and inorganic materials in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)ゼオライトMCM-68のトポロジーを有し、Alを全く含まない結晶性多孔質シリケート及びその製法を提供する。
Alを全く含まない結晶性多孔質シリケートは、粉末X線回折のピークが鋭く(半値幅が狭い)、結晶性が高いため、熱安定性、水熱安定性が高く、耐久性に優れた材料となりうる。欠損をSi原子で埋めれば、MCM-68トポロジーをもち、なおかつ全シリカ組成をもつシリケートとなる。また、欠損を部分的にSi原子で埋め、残った欠損をさらに他の金属原子で埋めれば、MCM-68の骨格をもつ各種メタロシリケートが得られる。
Usage Use field (In Japanese)結晶性多孔質シリケート
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人横浜国立大学, . (In Japanese)窪田 好浩, 小山 啓人, . CRYSTALLINE POROUS SILICATE HAVING TOPOLOGY OF MCM-68 AND ITS MANUFACTURING METHOD. P2008-063195A. Mar 21, 2008
  • C01B  37/02     

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