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集積装置とその製造方法


シーズコード	S130011038
掲載日	2013年6月7日
研究者	石田誠澤田和明赤井大輔平林京介
技術名称	集積装置とその製造方法
技術概要	シリコン基板と、シリコン基板の一部にエピタキシャル成長されたγ－アルミナ膜上に形成される第１の機能領域と、シリコン基板においてγ－アルミナ膜が成長された以外の領域に形成される第２の機能領域と、第１の機能領域と第２の機能領域とを接続する配線手段とで構成する。このように構成された集積装置によれば、シリコン基板にγ－アルミナ膜がエピタキシャル成長されてこのγ－アルミナ膜を用いて第１の機能領域を形成することができる。他方、シリコン基板においてγ－アルミナ膜の無い領域には第２の機能領域を形成することができる。このように第１の機能領域としてセンサを採用し、第２の機能領域としてセンサの信号処理回路（周辺回路）を形成することができ、センサとその信号処理回路とを配線手段により接続することにより、１つのシリコン基板に２つの機能（例えば、センサとその周辺回路）を作り込むことが可能となる。
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研究分野	光集積回路，集積光学固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ	γ－アルミナ層をベースにするセンサは１つの基板に作り込まれているため、センサとして機能させるには、これを周辺回路用ディスクリート素子とアッセンブリする必要がある。そこで、これらの集積装置を容易に製造することができる方法を提供する。シリコン基板に第１および第２の機能領域を形成し、第１の機能領域としてセンサを採用し、第２の機能領域として当該センサの信号処理回路（周辺回路）を形成する。そしてセンサとその信号処理回路とを配線手段により接続することにより、１つのシリコン基板に２つの機能（例えば、センサとその周辺回路）を作り込むことが可能となる。これにより、アッセンブリ作業が不要となるので製造コストを低減することができる。
用途利用分野	赤外線センサ、超音波センサ
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	国立大学法人豊橋技術科学大学， . 石田誠，澤田和明，赤井大輔，平林京介， . 集積装置とその製造方法. . 2009-01-08	H01L 37/02 H01L 27/144 H01L 27/146 G01J 1/02