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FUSE ELEMENT, AND FUSE

Seeds code S130011140
Posted date Jun 7, 2013
Researchers
  • (In Japanese)小林 信一
  • (In Japanese)廣瀬 健吾
Name of technology FUSE ELEMENT, AND FUSE
Technology summary (In Japanese)ヒューズエレメントは、絶縁性基板と、この絶縁性基板上の導電性薄膜からなり、この導電性薄膜が、穴部Q1、Q2、Q3、……、Qm-2、Qmに両側を挟まれ、2段絞りの臼型に括れた複数個の遮断部狭小帯を並列配置した遮断部22-1、22-2、22-3、……、22n-1、22-nを、更に直列に連結帯を介して交互に周期的に直列接続したパターンを有する。このエレメントは、複数個の遮断部狭小帯のそれぞれが、遮断部狭小帯を並列方向に互いに分離する穴部Q1、Q2、Q3、……、Qm-2、Qmよりも面積の小さい電流狭窄手段を備える。この場合、遮断部の厚さが10~60μmで、連結帯の厚さが80~150μmであり、且つ連結帯の直列方向に測った長さが2.5mm以下であり、複数個の遮断部狭小帯のそれぞれが、遮断部狭小帯を並列方向に互いに分離する穴部よりも面積の小さい電流狭窄手段を遮断部狭小帯の一部に局所的に備えることが好ましい。他にヒューズの発明有り。
Drawing

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thum_2008-030834.gif
Research field
  • Protective equipment
Seeds that can be deployed (In Japanese)半導体装置保護用ヒューズにおいては、遮断電流Iの二乗値(I2dt)を遮断時間0~Tで積分したI2T値が定義され、同一定格のヒューズと比較して、I2T値が小さい方が良い。そして、このヒューズを並列に配列して単位並列部(並列遮断部)を構成し、この並列遮断部をS個直列に接続してヒューズエレメントができる。この場合、直列接続数S値は定格電圧に対応して決定し、並列接続数P値は定格電流に対応して決定される。そこで、I2T値の低減、コスト低減と小型化が可能なヒューズエレメント及びこのヒューズエレメントを用いたヒューズを提供する。
従来の常識値1~1.2/100Vを越えた、1.5/100V以上の直列接続数S値を持つヒューズを提供できる。具体的には、AC600V用ヒューズの直列接続数S値は6~7Sが常識であるのに対し、AC600V用ヒューズの直列接続数S値は24S~32Sが可能である。又、AC6000V用ヒューズでは60~70Sが、148~198Sが実現できる。
Usage Use field (In Japanese)ヒューズエレメント、ヒューズ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人埼玉大学, . (In Japanese)小林 信一, 廣瀬 健吾, . FUSE ELEMENT, AND FUSE. P2009-193723A. Aug 27, 2009
  • H01H  85/12     
  • H01H  85/045    

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