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METHOD FOR PRODUCING METAL SILICIDE THIN FILM


Seeds code	S130012107
Posted date	Jun 10, 2013
Researchers	(In Japanese)吉門進三 (In Japanese)佐藤祐喜
Name of technology	METHOD FOR PRODUCING METAL SILICIDE THIN FILM
Technology summary	(In Japanese)金属珪化物の薄膜は、エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の微粒子の結晶構造を維持した金属珪化物の薄膜を製造する。所定温度まで加熱した基板上に、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを噴射することが好ましい。金属珪化物としては、モリブデンまたはタングステンまたはタンタルまたはクロムまたはそれらの合金の珪化物を用いること、特に、正方晶の結晶構造を有する珪化モリブデンを用いることが好ましい。キャリアガスは、不活性ガスであることが好ましく、また、基板は、ITO基板またはガラス基板またはシリコン基板またはサファイア基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
Drawing ※Click image to enlarge.
Research field	Metallic thin films
Seeds that can be deployed	(In Japanese)金属珪化物は金属並みの高い電気伝導性を示し、また珪素を含んでいるので、半導体デバイスの電極材料や配線材料として使用するのに適している。特に、半導体デバイスへの応用にあたり、MoSi₂等の金属珪化物の正方晶の薄膜を形成することが重要である。そこで、金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。常温下で、金属珪化物の正方晶の薄膜を製造することができる。したがって、熱に弱い材料を基板として用いることが可能になり、電子回路基板に直接電子部品を埋め込み、小型集積化を実現することができる。抵抗率の低い珪化モリブデンの正方晶の薄膜を、Si系の半導体デバイスの電極材料や配線材料として用いると、接触抵抗を小さくすることができ、オーミックコンタクトも容易に実現できる。ノズルの形状や寸法等を調節することによって、微細パターンの薄膜を製造することができるので、常温下で、マスクレスの配線パターンが容易に得られる。また、ナノオーダーの結晶構造をもつため、高き透明性を有しているので、光通信用デバイスへの応用が可能である。
Usage Use field	(In Japanese)金属珪化物薄膜、半導体デバイスの電極材料、半導体デバイスの配線材料
Application patent		patent	IPC(International Patent Classification)
Application patent	( 1 )	(In Japanese)学校法人同志社， . (In Japanese)吉門進三，佐藤祐喜， . METHOD FOR PRODUCING METAL SILICIDE THIN FILM. P2012-121753A. Jun 28, 2012	C01B 33/06 C23C 24/04