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(In Japanese)有機電界効果型トランジスタ

Seeds code S130012174
Posted date Jun 10, 2013
Researchers
  • (In Japanese)永松 秀一
  • (In Japanese)高嶋 授
  • (In Japanese)金藤 敬一
Name of technology (In Japanese)有機電界効果型トランジスタ
Technology summary (In Japanese)本発明の有機電界効果型トランジスタは、基板1上に膜状のゲート電極2、ゲート絶縁層3、有機半導体層4を順次積層し、さらに有機半導体層4の上に一対の膜状のソース電極5およびドレイン電極6を形成し、さらに有機電界効果型トランジスタ上部に還元性物質7を堆積し、有機半導体層4の内部に空乏層8を形成した構造を有する。基板1は、有機電界効果型トランジスタ の自立性を確保するためのものであり、特に材質が限定されないが、例えば、ガラス基板、各種樹脂基板、Siなどの半導体基板など各種の基板を好適に用いることができる。ここで、基板の加工性や機械強度の観点からは、Si基板が好適に使用される。また、電子ペーパーなどの用途では、ポリエチレンナフタレートなどの可とう性の高い樹脂が好適に用いられる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2010-517840.gif
Research field
  • Electric conduction in organic compounds
Seeds that can be deployed (In Japanese)容易かつ簡便(低コスト)な共役系高分子材料を使う手法により、絶縁性を維持しやすい有機電界効果型トランジスタを提供する。
本発明の共役系高分子からなる有機半導体を用いた有機電界効果型トランジスタは、有機半導体層が非常に高い絶縁性を示す空乏層となり、高インピーダンスなデバイスとなる。また、不純物が還元物質に捕縛されており可動イオンとして振舞うことをできず、トランジスタ特性のヒステリシスを抑制できる。また、完全な空乏状態からオン状態に変化するので、急峻なサブスレッショルド特性を実現できる。
Usage Use field (In Japanese)有機電界効果型トランジスタ、フレキシブル電子回路、電子ペーパ、表示装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人九州工業大学, . (In Japanese)永松 秀一, 高嶋 授, 金藤 敬一, . (In Japanese)有機電界効果型トランジスタ. . Dec 8, 2011
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/336    
  • H01L  51/05     

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