Top > Search Technology seeds > (In Japanese)半導体素子及び固体撮像装置

(In Japanese)半導体素子及び固体撮像装置

Seeds code S130012208
Posted date Jun 10, 2013
Researchers
  • (In Japanese)川人 祥二
Name of technology (In Japanese)半導体素子及び固体撮像装置
Technology summary (In Japanese)固体撮像装置の画素の一部となる半導体素子の構成は、p型の半導体領域21と、半導体領域21に埋め込まれたn型の受光用表面埋込領域23と、受光用表面埋込領域23に連続し、受光用表面埋込領域23よりもポテンシャル井戸が深いn型の電荷蓄積領域24と、電荷蓄積領域24が蓄積した電荷を読み出す電荷読み出し領域と、受光用表面埋込領域23から電荷を排出する排出ドレイン領域25と、受光用表面埋込領域23から排出ドレイン領域25へ電荷を排出する第1の電位制御手段31、30と、電荷蓄積領域24から電荷読み出し領域へ電荷を転送する第2の電位制御手段32、30を備える。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2010-544171.gif
Research field
  • Photometry and photodetectors in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)画素の構造が簡単で高解像度化が可能であり、高速転送が可能で時間分解能が向上した固体撮像装置(ロックインイメージセンサ)及びこの固体撮像装置のセンサ要素(画素)として用いることの可能な半導体素子を提供する。
2段転送による電子シャッタ機能を有し、空間解像度を得ることができる固体撮像装置を標準的なCMOSプロセスで実現可能となる。
Usage Use field (In Japanese)固体撮像装置、TOF距離画像センサ、バイオイメージング装置、時間相関イメージセンサ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人静岡大学, . (In Japanese)川人 祥二, . (In Japanese)半導体素子及び固体撮像装置. . Jun 21, 2012
  • H01L  27/146    
  • H04N   5/374    

PAGE TOP