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(In Japanese)単結晶部材の作製方法

Seeds code S022000364
Posted date May 26, 2003
Researchers
  • (In Japanese)西永 頌
Affiliation
  • (In Japanese)東京大学 大学院工学系研究科
Research organization
  • (In Japanese)東京大学 大学院工学系研究科
Name of technology (In Japanese)単結晶部材の作製方法
Technology summary (In Japanese)この技術では、種結晶表面を非晶質膜2でおおい、一部に線状の窓を開け、窓部3からたて方向に多数の板状単結晶部材4を成長させることにより低欠陥かつ表面平坦性に優れた基板結晶を作製した。現在は溶液成長を用いているが、成長法はこれに限らず、気相成長および融液成長によっても作製が可能である。特に半導体基板の作製に効果があるが、酸化物をはじめその他の絶縁物基板結晶の作製にも有効である。
Drawing

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S022000364_01SUM.gif S022000364_02SUM.gif S022000364_03SUM.gif
Outline of related art and contending technology (In Japanese)従来、基板結晶は大型結晶を成長させ、これを切断、研磨することにより得ていた。
Research field
  • Crystal growth of metals
  • Crystal growth of oxides
  • Techniques and equipment of crystal growth
  • Crystal growth of semiconductors
Seeds that can be deployed (In Japanese)(1)選択成長法によりたて方向に板状結晶を成長させる技術
(2)転位は板状結晶の外に出てしまうので無転位結晶が得られる方法
(3)特異面を用いて表面を平坦化できる技術
Usage Use field (In Japanese)半導体基板を用いるすべての産業
光・電子デバイス用基板
太陽電池・ディスプレー用基板
Published papers related (In Japanese)(1)西永たたう, 河東田隆, 浅田邦博, 岸真人, 菅野卓雄, 斉藤制海. 微小重力下でのシリコンの融液成長. 日本結晶成長学会誌. vol.21,no.4,1994,p.451‐459.
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人東京大学, . (In Japanese)西永 頌, . METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL MEMBER. P2001-019589A. Jan 23, 2001
  • C30B  19/04     

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