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(In Japanese)カーボンナノチューブの成長方法

Seeds code S040000321
Posted date Sep 1, 2006
Researchers
  • (In Japanese)大野 雄高
Affiliation
  • (In Japanese)名古屋大学
Research organization
  • (In Japanese)名古屋大学
Name of technology (In Japanese)カーボンナノチューブの成長方法
Technology summary (In Japanese)所望の位置に容易にカーボンナノチューブトランジスタを構成するためのカーボンナノチューブの成長方法を提供する。 半導体基板上にフォトリソグラフィー等によりレジストパタンを形成し、触媒金属の蒸着・リフトオフにより触媒パタンを形成する。触媒金属は、白金やコバルト等の多層構造とする。その後、加熱処理を行う。加熱条件は例えば800℃、5分である。カーボンナノチューブの成長は熱CVD法により行う。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)従来、カーボンナノチューブの成長では触媒として金属粉を用い、成長炉や触媒に付着したカーボンナノチューブを含む粉塵を集め、精製することによりカーボンナノチューブ束が得られる。この方法で得られたカーボンナノチューブをトランジスタなどの電子素子に応用する場合、基板上の所望の位置に単一のカーボンナノチューブを配置することは極めて難しい。
Research field
  • Properties of molecules in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)(1)所望の位置にカーボンナノチューブを成長させる方法
(2)パターニングした多層金属を触媒とする方法
(3)触媒金属を加熱処理する方法
Usage Use field (In Japanese)トランジスタ
集積回路
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人名古屋大学, . (In Japanese)大野 雄高, 水谷 孝, . METHOD FOR GROWING CARBON NANOTUBE. P2003-277033A. Oct 2, 2003
  • C01B  31/02     
  • B01J  23/89     
  • B82B   3/00     
  • C23C  16/26     

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