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(In Japanese)沿面放電支援型化学気相析出装置

Seeds code S040000322
Posted date Sep 1, 2006
Researchers
  • (In Japanese)斎藤 秀俊
Affiliation
  • (In Japanese)長岡技術科学大学
Research organization
  • (In Japanese)長岡技術科学大学
Name of technology (In Japanese)沿面放電支援型化学気相析出装置
Technology summary (In Japanese)本発明では、機能性酸化物膜を得ることができる大気開放型化学気相析出(CVD)装置をもとに、より低温で、より高速に酸化物あるいは水酸化物膜を形成するために、化学反応を促進することを鋭意検討した結果、室温から800℃までの基材表面に従来より短時間に酸化物あるいは水酸化物を形成する装置である沿面放電支援型化学気相析出装置を考案した。このような大気開放型CVD法において、基材表面に酸化物あるいは水酸化物膜を形成する化学反応を促進する方法、特に沿面放電を利用しながら室温から800℃までの基材温度で酸化物あるいは水酸化物を形成する方法、及び該方法に使用する装置を提供する。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)従来例として、大気開放型化学気相析出装置が挙げられる。この装置は機能性酸化物膜を耐熱素材上に効率よく合成できる。しかしながら非耐熱素材上には機能性酸化物薄膜を合成することができなかった。
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Oxide thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)(1)沿面放電により化学反応を進行させるCDV装置
(2)酸化物膜あるいは水酸化物膜を高効率で形成する方法
(3)樹脂上に機能性酸化物膜を形成可能とする方法
Usage Use field (In Japanese)樹脂表面高機能化
ガラス表面高機能化
金属表面高機能化
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人長岡技術科学大学, . (In Japanese)斎藤 秀俊, . METHOD OF ACCELERATING REACTION FOR FORMING COATING FILM ON SURFACE OF SUBSTRATE, AND APPARATUS USED IN THE SAME. P2003-253451A. Sep 10, 2003
  • C23C  16/503    
  • B01J  19/08     

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