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(In Japanese)シリコン基板上への無機物の固定方法 meetings

Seeds code S090000088
Posted date Sep 14, 2009
Researchers
  • (In Japanese)米澤 徹
  • (In Japanese)河本 邦仁
Name of technology (In Japanese)シリコン基板上への無機物の固定方法 meetings
Technology summary (In Japanese)アリルメルカプタンでコートしたナノメートルサイズの金粒子のnーデカン分散液に水素終端化したシリコン基板を導入し、アルゴン下で加熱還流し、シリコン基板上にナノメートルサイズの金粒子を化学的に固定する。この方法では、まず、末端にC=C二重結合を有し逆端末(もしくは中間部)に無機物と親和性のある部位を持つ化合物を合成する。次に、その化合物を無機物の表面にコートする。そして、表面に末端C=C結合を持つようになった無機物を溶媒中に分散させ加温する。次に、その中にシリコン基板を導入する。例えばここではシリコン基板は水素終端化しておく。次に、シリコン基板上に無機物を化学的に固定する。即ちシリコン基板は、(a)に示すように、水素終端化した状態から、(b)に示すように熱等でラジカル化する。一方、(c)に示すような、二重結合を持つ化合物で覆われた無機物を、(d)に示すように、ラジカル化されたシリコン表面に、二重結合を持つ化合物で覆われた無機物を固定することができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

S090000088_01SUM.gif
Seeds that can be deployed (In Japanese)無機物表面を化合物の単分子膜やそれらの分子のコート膜で修飾することにより、無機物のシリコン基板上への化学的固定化を可能とする無機物の固定方法を提供する。
シリコン基板上に容易に無機物を固定させることができ、またシリコン基板上に簡便に無機物を1層形成することができる。また、シリコン基板上にナノメートルサイズの粒子を固定することにより、ナノメートルサイズのデバイスをシリコン基板上に構築することができる。
Usage Use field (In Japanese)無機物、ナノデバイス

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