Top > Search Technology seeds > (In Japanese)スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

(In Japanese)スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

Seeds code S090000197
Posted date Sep 14, 2009
Researchers
  • (In Japanese)菅原 聡
  • (In Japanese)田中 雅明
Name of technology (In Japanese)スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
Technology summary (In Japanese)エミッタ21とベース22との間にバイアス電圧VEBを、ベース22とコレクタ23との間にバイアス電圧VCBを加えている。このときVEBの大きさは(Φc<qVEB<Φc+Δ)の関係を満たすように設定する。但し、qは電荷素量である。この場合、エミッタ21は、ベース22にスピン偏極したホットエレクトロンを注入するスピンインジェクタとして働く。一方、トランジスタのコレクタ23は、ベース22に注入されたスピン偏極ホットエレクトロンの向きを選別するスピンアナライザとして働く。ここで、エミッタ22の第1の強磁性障壁層2とコレクタ23の第2の強磁性障壁層6との相対的な磁化の向きにより、エミッタからコレクタヘ流れる電流の電流伝送率は大きく異なる。換言すれば、ベース電流によるコレクタ電流の電流増幅率が大きく異なる。従って、スピン偏極ホットキャリアのスピンの向きによりトランジスタの出力特性を制御することができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

S090000197_01SUM.gif
Research field
  • Transistors
  • Semiconductor integrated circuit
Seeds that can be deployed (In Japanese)トランジスタ内に含まれる強磁性体に磁化状態によって情報を記憶し、キャリアのスピンの向きに依存するトランジスタの出力特性を用いて情報を読み出す不揮発性メモリを提供する。
記憶素子の特性に関係なく、出力信号を記憶素子以外の周辺回路によって自由に設計することができる。
Usage Use field (In Japanese)トランジスタ、不揮発性記憶回路
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)菅原 聡, 田中 雅明, . SPIN TRANSISTOR, AND NON-VOLATILE MEMORY USING SAME. P2004-111904A. Apr 8, 2004
  • H01L  29/82     
  • G11C  11/15     
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    
  • H01L  43/08     

PAGE TOP