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(In Japanese)3元系相図薄膜の作製方法及びそれに用いるコンビナトリアル成膜装置用マスキング機構

Seeds code S090001248
Posted date Mar 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
  • (In Japanese)松本 祐司
  • (In Japanese)高橋 竜太
Name of technology (In Japanese)3元系相図薄膜の作製方法及びそれに用いるコンビナトリアル成膜装置用マスキング機構
Technology summary (In Japanese)図は本発明のマスキング機構の構成を示す。(a)は本機構に用いるマスクの正面図であり、(b)は本機構の動作を模式的に示す図である。その機構は、図(a)のマスクと(b)のマスクは共通軸の回りに、互いに独立に回転できる構成となっている。本機構のマスクは、台形と三角形の開口を有する円板であり、台形の開口及び三角形の開口の中心は、円板の中心から一定距離にある。本機構の動作は以下のとおりである。3元系相図薄膜を構成する第1物質の蒸発物質流中で円板を回転すると、台形の一斜辺のマスク作用に基づいて第1物質の濃度勾配を形成する。続いて、第2物質の蒸発物質流中で円板を逆方向に回転すると、台形の他方斜辺のマスク作用に基づいて第2の物質濃度勾配を形成し、同様に第3の物質の濃度勾配も形成する。その結果、マスク開口部を跨いで配置した他の基板上に3元系相図薄膜を形成する。台形の底辺と2つの斜辺とがなす角度を選択すれば、第1及び第2物質の濃度勾配を希望の方向に形成させることが出来る。実施例では3元系の物質として、プラズマディスプレイ用の蛍光材料として用いる希土類カルシウム・オキシボレートを用いた。
Drawing

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S090001248_01SUM.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
Seeds that can be deployed (In Japanese)2元系の場合には、従来のコンビナトリアル成膜装置を用いて、短時間に、かつ、信頼性の高い2元系相図に対応した薄膜、すなわち2元系相図薄膜が得られた。しかし、3元系相図に対応する薄膜はこのコンビナトリアル成膜装置のマスク構成では作製する事が困難であった。本発明はこれらの課題を解決し、短時間でかつ、信頼性の高い3元系相図薄膜が作製できるコンビナトリアル成膜装置用マスキング機構を提供、新物質の発見に寄与する。
3元系相図薄膜は本発明のコンビナトリアル成膜装置用マスキング機構により作製する事ができる。本マスキング機構を用いれば、マスクが回転マスクなのでスペースを取らない。また、基板温度を自由に設定することができ、温度傾斜法との組み合わせも可能である。本マスキング機構を用いたコンビナトリアル成膜装置を3元系の物質探査に使用すれば、短期間に信頼性の高い物質探査ができる。
Usage Use field (In Japanese)高温超伝導、巨大磁気抵抗、高輝度蛍光および触媒新物質、新組成
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)鯉沼 秀臣, 松本 祐司, 高橋 竜太, . MASKING MECHANISM FOR COMBINATORIAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS. P2004-035983A. Feb 5, 2004
  • C23C  14/24     

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