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(In Japanese)pチャネル電界効果トランジスタの製造方法

Seeds code S090001361
Posted date Mar 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)川原田 洋
Name of technology (In Japanese)pチャネル電界効果トランジスタの製造方法
Technology summary (In Japanese)pチャネル電界効果トランジスタの製造方法において、液体電解質をゲートとして使用し、オゾン処理により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるようにしたものである。また、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面の酸素の被覆率を高くすることにより閾値電圧を負の方向にシフトすることを特徴とする。高抵抗表面チャネル1を有するダイヤモンド電界効果トランジスタ(FETs)をオゾン(O3 )処理2することにより作製した。このオゾン処理2により、ダイヤモンドの表面導電層が徐々に失われた。60分間のオゾン処理cの後、シート抵抗はオゾン処理をしなかったd表面の20~30倍となり、0.44Vの閾値電圧(Vth)のシフトを引き起こした。閾値電圧の絶対値は、オゾン処理の時間の増加に伴い増加した。よって、閾値電圧がオゾン処理によりコントロールできることが分かった。
Drawing

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S090001361_01SUM.gif
Research field
  • Transistors
Seeds that can be deployed (In Japanese)オゾン処理した表面で、チャネルの抵抗が上昇し、それを用いたpチャネル電界効果トランジスタを作製した。さらに閾値電圧が負の方向に移動することを見い出した。その時に、チャネルとしてのダイヤモンド表面が酸素終端されていることを光電子分光(XPS)により、明らかにした。そこで、オゾン処理による高い閾値電圧を有する特性の良好なpチャネル電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
イオン感応性のない表面チャネルを有する電界効果トランジスタが作製でき、それを基礎に所望の感応性を有する有機分子、生体分子を固定し、選択性の高いイオンセンサーやバイオセンサーを作製することができる。
Usage Use field (In Japanese)電界効果トランジスタ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)川原田 洋, . P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR. P2004-109020A. Apr 8, 2004
  • G01N  27/414    
  • H01L  29/78     
  • C12N  15/09     

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