透明酸化物積層膜及び透明酸化物ｐ－ｎ接合ダイオードの作製方法
| シーズコード | S090001428 | ||
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| 掲載日 | 2010年3月5日 | ||
| 研究者 |
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| 技術名称 | 透明酸化物積層膜及び透明酸化物ｐ－ｎ接合ダイオードの作製方法 | ||
| 技術概要 |
透明酸化物としてデラフォサイト型のＣｕＩｎＯ２ を用いる。そして、Ｉｎサイトの一部をＣａイオンで元素置換することによりｐ型ＣｕＩｎＯ２を制作し、Ｉｎサイトの一部をＳｎイオンで元素置換することによりｎ型ＣｕＩｎＯ２を制作する。制作した透明酸化物であるｎ型ＣｕＩｎＯ２とｐ型ＣｕＩｎＯ２を積層して、透明ｐ－ｎ接合からなる透明酸化物ダイオードを制作する。積層する方法としては、例えば、ＰＬＤ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、真空蒸着法などを選ぶことができる。 |
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| 研究分野 |
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| 展開可能なシーズ |
従来、ｎ型ないしｐ型を示す透明酸化物半導体は、知られていたが、同一結晶中でｐ型とｎ型の半導体特性が得られる透明酸化物は存在せず、透明な酸化物ｐ－ｎホモ接合ダイオードを形成できなかった。ホモ接合では、原理的に結晶格子間のミスマッチが存在しないために、格子歪のない良質な接合を形成できる。これにより、４００℃の高温大気中でも安定に駆動でき、可視光に対する透明性が高い透明酸化物ｐ－ｎ接合ダイオードを提供する。 本発明の透明酸化物ダイオードは、高温大気中においても安定に駆動させることができ、可視光に対する透明性が高い。 |
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| 用途利用分野 | 透明酸化物ｐ－ｎ接合ダイオード | ||
| 出願特許 | 特許 | 国際特許分類(IPC) | |
| ( 1 ) | 国立研究開発法人科学技術振興機構， ＨＯＹＡ株式会社， . 細野 秀雄， 植田 和茂， 太田 裕道， 平野 正浩， . 透明酸化物積層膜及び透明酸化物ｐ－ｎ接合ダイオードの作製方法. 特開2002-261294. 2002-09-13 |
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| 研究分野 |
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