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(In Japanese)透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法

Seeds code S090001428
Posted date Mar 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)細野 秀雄
  • (In Japanese)植田 和茂
  • (In Japanese)太田 裕道
  • (In Japanese)平野 正浩
Name of technology (In Japanese)透明酸化物積層膜及び透明酸化物p-n接合ダイオードの作製方法
Technology summary (In Japanese)透明酸化物としてデラフォサイト型のCuInO2 を用いる。そして、Inサイトの一部をCaイオンで元素置換することによりp型CuInO2を制作し、Inサイトの一部をSnイオンで元素置換することによりn型CuInO2を制作する。制作した透明酸化物であるn型CuInO2とp型CuInO2を積層して、透明p-n接合からなる透明酸化物ダイオードを制作する。積層する方法としては、例えば、PLD法、スパッタリング法、CVD法、MBE法、真空蒸着法などを選ぶことができる。
Research field
  • Diodes
  • Semiconductor‐semiconductor contacts without Gr.13‐15 element compounds
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)従来、n型ないしp型を示す透明酸化物半導体は、知られていたが、同一結晶中でp型とn型の半導体特性が得られる透明酸化物は存在せず、透明な酸化物p-nホモ接合ダイオードを形成できなかった。ホモ接合では、原理的に結晶格子間のミスマッチが存在しないために、格子歪のない良質な接合を形成できる。これにより、400℃の高温大気中でも安定に駆動でき、可視光に対する透明性が高い透明酸化物p-n接合ダイオードを提供する。
本発明の透明酸化物ダイオードは、高温大気中においても安定に駆動させることができ、可視光に対する透明性が高い。
Usage Use field (In Japanese)透明酸化物p-n接合ダイオード
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . (In Japanese)細野 秀雄, 植田 和茂, 太田 裕道, 平野 正浩, . TRANSPARENT OXIDE P-N JUNCTION DIODE. P2002-261294A. Sep 13, 2002
  • H01L  29/86     
  • H01L  29/861    
  • H01L  33/00     

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