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(In Japanese)膜の製造方法

Seeds code S090002714
Posted date Mar 26, 2010
Researchers
  • (In Japanese)渡辺 敏行
  • (In Japanese)曽根 正人
  • (In Japanese)須賀 陽介
Name of technology (In Japanese)膜の製造方法
Technology summary (In Japanese)反応溶媒Aに14族元素化合物Bを溶解して、膜形成装置(図1)の反応器10に導入し、送液ポンプ24で臨界圧力以上に加圧し、臨界温度以上に加熱する。次に、高周波電源27により電極11、12間に周波数1~50MPa、100~200W程度の電力を印加し、数分間プラズマ放電を行う。プラズマ放電により、化合物Bは分解・反応し、電極11、12上に膜を形成する。反応溶媒Aは3フッ化メタン、エタン等を利用できるが、2酸化炭素が最も好ましい。元素化合物Bには、炭素元素を含む飽和脂肪族炭化水素、不飽和脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素等の有機化合物が、ケイ素原子を含む化合物にはSixHy(xが1~10の整数、yが2~2x+2)、特にSiH4とSi2H6が、またはゲルマニウムを含む化合物にはGexHy(xが1~10の整数、yが2~2x+2)、特にGeH4とGe2H6が好ましく、これらは高密度なダイヤモンドライク、シリコン、またはゲルマニウム膜を形成する。シリコンとゲルマニウムでは不純物をドーピングすることで半導体膜とすることができる。
Drawing

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S090002714_01SUM.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)高密度なダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ゲルマニウム膜等を形成する方法を提供する。
超臨界流体を用いて高濃度の原料化合物をプラズマ放電分解することにより、緻密な特性を有するダイヤモンドライクカーボン、シリコン、ゲルマニウム膜を作成することが可能となる。
Usage Use field (In Japanese)LSI層間絶縁膜、金型やPETボトルのコーティング材、生体適合医療器具、プラズマテレビ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人東京農工大学, . (In Japanese)渡辺 敏行, 曽根 正人, 須賀 陽介, . METHOD FOR MANUFACTURING FILM. P2006-249566A. Sep 21, 2006
  • C23C  16/50     
  • C23C  16/24     
  • C23C  16/26     
  • C23C  16/28     
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/768    
  • H01L  23/522    

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