Top > Search Technology seeds > (In Japanese)ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ

(In Japanese)ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ

Seeds code S090002798
Posted date Mar 26, 2010
Researchers
  • (In Japanese)太田 裕道
  • (In Japanese)細野 秀雄
  • (In Japanese)神谷 利夫
  • (In Japanese)平野 正浩
Name of technology (In Japanese)ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Technology summary (In Japanese)反応性固相エピタキシャル法により、ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In,Fe,Ga,又はAl,m=1以上50未満の整数)単結晶薄膜を製造する。この薄膜は、化学量論組成からのずれが極めて小さく、室温付近では良質な絶縁体となる。このホモロガス化合物単結晶薄膜を活性層として用いて薄膜電界効果型トランジスタを制作する。この結果、ノーマリーオフ作動で、スイッチング特性の良い透明薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。
Research field
  • Transistors
  • Techniques and equipment of crystal growth
Seeds that can be deployed (In Japanese)透明酸化物半導体であるZnOを用いて、電界効果型トランジスタを作製する試みがなされている。しかし、ZnOは、電気伝導度を小さくすることが難しく、ノーマリーオフの電界効果型トランジスタを構成できない欠点がある。また、アモルファス状態を作り難いので、大面積に適したアモルファストランジスタを作製することができない。これに対し、透明かつ大面積に適した電界効果型トランジスタを実現する。
この透明薄膜電界効果型トランジスタは、波長400nm以上の可視光・赤外光に対して透明である上、ノーマリーOFFのスイッチングが可能である。この透明薄膜電界効果型トランジスタをLCDのスイッチング素子として応用することにより、バックライト光をロスなく有効に使うことができる上、シースルー型のディスプレイへの発展が期待できる。
Usage Use field (In Japanese)透明電界効果型トランジスタ、液晶ディスプレイ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . (In Japanese)太田 裕道, 細野 秀雄, 神谷 利夫, 平野 正浩, . TRANSPARENT THIN FILM FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR USING HOMOLOGOUS THIN FILM AS ACTIVE LAYER. P2004-103957A. Apr 2, 2004
  • H01L  29/786    
  • H01L  21/363    

PAGE TOP