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(In Japanese)酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法

Seeds code S090002800
Posted date Mar 26, 2010
Researchers
  • (In Japanese)太田 裕道
  • (In Japanese)細野 秀雄
  • (In Japanese)神谷 利夫
  • (In Japanese)平野 正浩
Name of technology (In Japanese)酸化物半導体PN接合デバイス及びその製造方法
Technology summary (In Japanese)p型伝導性酸化物半導体化合物とn型伝導性と紫外光感度を有するZnxMg1-xO化合物からPN 接合デバイスを構成する。そのために、ITO単結晶膜上にn型電気伝導を示すZnxMg1-xO(ただし、0.7<x≦1)単結晶薄膜をエピタキシャル成長し、その上に多結晶又はアモルファス膜として堆積されアニールによりエピタキシャル成長したp型電気伝導を示すLiイオンを含むNiO薄膜又はZnRh2O4膜を形成してPN接合デバイスを制作する。または、ITO膜上に堆積されたn型電気伝導を示すアモルファスInGaO3(ZnO)m(mは1以上50未満の整数)薄膜と、その上に堆積されたp型電気伝導を示すアモルファスNiO薄膜又はZnRh2O4薄膜によりPN接合デバイスを制作する。
Research field
  • Semiconductor‐semiconductor contacts without Gr.13‐15 element compounds
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Photoconduction, photoelectromotive force
Seeds that can be deployed (In Japanese)p型伝導性酸化物半導体化合物とn型伝導性と紫外光感度を有するZnxMg1-xO化合物から構成するPN 接合デバイス及びその製造方法を提供する。
酸化物半導体を用いたPN接合デバイスは、化学的に安定で、耐高温度性に優れ、環境負荷が少ないなど、本来的な長所を有する。さらに、短波長光領域で機能する光電子デバイスとして、化合物半導体PN接合デバイスでは実現困難であった、紫外光感度を有するPN接合デバイスが制作できる。
Usage Use field (In Japanese)紫外光センサー、光電子デバイス
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, HOYA株式会社, . (In Japanese)太田 裕道, 細野 秀雄, 神谷 利夫, 平野 正浩, . OXIDE SEMICONDUCTOR PN JUNCTION DEVICE. P2004-119525A. Apr 15, 2004
  • H01L  31/10     

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