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(In Japanese)不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法

Seeds code S090002807
Posted date Mar 26, 2010
Researchers
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
  • (In Japanese)伊高 健治
Name of technology (In Japanese)不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法
Technology summary (In Japanese)この不揮発性記憶素子1は、有機半導体からなるチャンネル5とゲート絶縁膜3とゲート電極とソース電極とドレイン電極とからなるトランジスタ構造を有する。チャンネル5とゲート絶縁膜3との界面又は界面近傍に、キャリアのトラップ8が形成されている。特に、チャンネル5がフラーレンからなり、ゲート絶縁膜3がアルミナや二酸化シリコンなどの無機物から構成されているので、電気的に書き込み、消去、読み出しができる不揮発性記憶素子1となる。
Drawing

※Click image to enlarge.

S090002807_01SUM.gif
Research field
  • Electronic recording, magnetic recording, optical recording
  • Transistors
Seeds that can be deployed (In Japanese)有機半導体トランジスタでメモリを構成する場合、記憶層に強誘電性や焦電性材料を必要とし、メモリの構造が複雑になるという課題がある。これに対し、有機トランジスタにより簡単な構造で電気的に不揮発性メモリの動作が得られる不揮発性記憶素子及び不揮発性メモリ並びに不揮発性記憶素子の制御方法を提供する。
有機半導体薄膜をチャンネルとした簡単な構造のトランジスタを不揮発性記憶素子として、電気的に書き込み、消去、読み出しの制御を行うことができる。
Usage Use field (In Japanese)有機不揮発性記憶素子、有機不揮発性メモリ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構, . (In Japanese)鯉沼 秀臣, 伊高 健治, . NONVOLATILE MEMORY CELL, NONVOLATILE MEMORY AND CONTROL METHOD OF NONVOLATILE MEMORY CELL. P2009-060059A. Mar 19, 2009
  • H01L  21/8247   
  • H01L  27/115    
  • H01L  27/28     
  • H01L  51/05     
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/788    
  • H01L  29/792    
  • H01L  51/30     

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