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(In Japanese)多孔質半導体膜の形成方法

Seeds code S090003706
Posted date Mar 30, 2010
Researchers
  • (In Japanese)安達 定雄
  • (In Japanese)冨岡 克広
Name of technology (In Japanese)多孔質半導体膜の形成方法
Technology summary (In Japanese)フッ素を含む塩(フッ化塩)の水溶液10に浸漬された半導体基板14の基板面14に、光源16から励起光18を照射することにより、基板面14に紫外発光が可能な多孔質半導体膜を形成する。さらに、多孔質半導体膜の表面に透明電極を形成して、発光素子を作製する。この発光素子の透明電極と半導体基板との間に電圧を印加し、多発光素子孔質半導体膜に電流を流すと、この多孔質半導体膜 が紫外発光する。発光素子の発光波長の制御は、透明電極の形成前に、多孔質半導体膜が形成された半導体基板14を、酸性又はアルカリ性の薬品に適宜浸漬し、多孔質半導体膜の表面構造を改質することで行う。
Drawing

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S090003706_01SUM.gif
Research field
  • Semiconductor thin films
  • Light emitting devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)可視から紫外で発光が可能な多孔質半導体膜を、簡便かつ再現性よく形成する多孔質半導体膜の形成方法を提供する。また、多孔質半導体膜が形成された半導体基板を用いて、可視から紫外で発光が可能な発光素子及びセンサ等を提供する。
非常に簡便な装置で半導体基板の基板面に多孔質半導体膜を形成することができる。多孔質半導体膜は、可視から紫外で発光する発光素子等の光源デバイスへ応用することができる。多孔質半導体膜は、面光源であり、液晶パネルディスプレーや次世代携帯電話ディスプレーのバックライトとして期待されている。多孔質半導体膜は表面積が大きいため、センサーに応用することで検知精度を向上させることができる。
Usage Use field (In Japanese)発光素子、光センサ、バックライト
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人群馬大学, . (In Japanese)安達 定雄, 冨岡 克広, . METHOD OF FORMING POROUS SEMICONDUCTOR FILM, LIGHT EMITTING DEVICE, AND OPTICAL SENSOR. P2006-140426A. Jun 1, 2006
  • H01L  21/306    
  • H01L  33/00     

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