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透明導電膜の製造方法および製造装置


シーズコード	S090004285
掲載日	2010年3月30日
研究者	南内嗣宮田俊弘
技術名称	透明導電膜の製造方法および製造装置
技術概要	透明導電膜を製造するために、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲットとして用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体の上に透明導電膜を形成する。これによってエロージョン対向部での酸化が抑制でき、透明導電膜の抵抗率分布の不均一性を改善できる。これを実現する装置の構成を図に示す。真空チャンバ７０に収容されたマグネトロンスパッタリング装置１０内のターゲット２０と薄膜形成基体３０を対向させ、基体の裏面にアノード６０を設ける。ターゲットを保持するステンレス鋼製マグネトロンカソード部２２に電力供給源４０により交流電力（高周波電力）が重畳した直流電力を供給する。その背面に磁界を発生する磁石５０とヨーク５２を置き、両者の隙間に冷却水などの冷媒を循環させるパイプ５４を設ける。
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研究分野	薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ	マグネトロンスパッタリング法で、ＩＴＯの代替材料として有望なアルミニウムドープ酸化亜鉛の透明導電膜を形成する際に、均一な抵抗率分布の膜を製造する方法とその装置を提供する。ＩＴＯに替わって、安価で豊富に供給でき、かつ均一な抵抗率分布を有する透明導電膜が得られる。
用途利用分野	フラットパネルディスプレイ、薄膜製造装置
出願特許		特許	国際特許分類(IPC)
出願特許	( 1 )	学校法人金沢工業大学， . 南内嗣，宮田俊弘， . 透明導電膜の製造方法および製造装置. 特開2007-154255. 2007-06-21	C23C 14/08 C23C 14/35 C23C 14/34 C23C 14/38 C23C 14/40 H01B 13/00