Top > Quick Search > Search Technology seeds > (In Japanese)イオン源

(In Japanese)イオン源

Seeds code S090004437
Posted date Mar 30, 2010
Researchers
  • (In Japanese)作道 訓之
Name of technology (In Japanese)イオン源
Technology summary (In Japanese)フィラメント12を組み込み、原料ガスを導入するプラズマ室11と、長辺側をプラズマ室の軸方向にしてプラズマ室11の周側面に接続する断面長方形の導波管21と、導波管21と相対向するプラズマ室11のイオン引出口11bに付設する引出し電極31、32、33とを備えてなり、プラズマ室11は、直流アーク放電、導波管21からのマイクロ波の一方または双方を選択して原料ガスをプラズマ化し、プラズマからのイオンをイオン引出口11bから放出する。BF3 の原料ガスを使用して、BやB++放出することができる。また、導波管21からのマイクロ波を選択すると、マイクロ波イオン源として作動させることができ、BF2やB の放出に適する。さらに、これらの両者を同時に選択すると、最大150eV程度の高い電子エネルギを実現し、特にB++を大量に放出することができる。プラズマを生成するための電子は、アーク電圧に加えて、導波管21の短辺方向に発生するマイクロ波の電界によっても加速され、全体として大きな電子エネルギに加速することができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

S090004437_01SUM.gif
Research field
  • Electron and ion sources
  • Electron and ion beams
  • Ion emission
Seeds that can be deployed (In Japanese)プラズマ室の容積を機械的に可変することなく、プラズマの生成手段を直流アーク放電、マイクロ波の一方または双方に切り換えることによって、放出するイオンの種類を電気的に選択し、ドーピング深さを広く可変することができるイオン源を提供することにある。
直流アーク放電、マイクロ波の一方または双方を電気的に選択することにより、数nmオーダの極浅ドーピング用のBF2から、数100nmオーダの極深ドーピング用のB++までの各種のイオンを切り換えてそれぞれ大量にイオン注入できる、ドーピング深さを広く可変することができる。また、プラズマ室は、機械的な可動部材を含まないため、簡素な構造となり、さらに、作動雰囲気を損なうおそれがない。
Usage Use field (In Japanese)イオン源
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人金沢工業大学, . (In Japanese)作道 訓之, . ION SOURCE. P2006-107974A. Apr 20, 2006
  • H01J  27/18     
  • H01J  27/08     
  • H01J  37/08     
  • H01J  37/317    

PAGE TOP