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ELECTRON RELEASING MATERIAL

Seeds code S100000228
Posted date Sep 16, 2010
Researchers
  • (In Japanese)斎藤 秀俊
  • (In Japanese)大塩 茂夫
  • (In Japanese)伊藤 治彦
  • (In Japanese)内城 貴則
Name of technology ELECTRON RELEASING MATERIAL
Technology summary (In Japanese)導電性のウイスカー14上に設けられたN-H終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜を有する電子放出材料21である。窒化炭素膜13の赤外線吸収スペクトルにおける吸収面積比が、式(1)を満たす。窒化炭素膜13の膜厚が100nm以下であり、ウイスカー14の円近似断面径が0.01~100μmで、円近似断面径に対する長さの比が1以上である。ウイスカーはウイスカーを形成する基板12上の10μm×10μmの面積当たり0.1~10000個の密度で存在する。ウイスカー14は基板12表面に対して略垂直方向に金属酸化物単結晶により形成され、長軸方向に沿って母材組成とは異なる組成の強化層を有し、母材と強化構造が化学的に結合している。ウイスカーの長さの加重平均が0.1μm以上であり、有機物質、無機物質、金属から選ばれる材料15でウイスカーの間を充填する。N-H終端に富むアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜が優れた電子放出特性を有する。このN-H終端に富むアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜を、各種の導電性を有する材料の表面に形成する。
Drawing

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Research field
  • Materials of solid‐state devices
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)通常の電子放出材料よりもエネルギー効率が高く、長時間動作可能な電子放出材料を低コストで提供する。
この電子放出材料は、エネルギー効率が高く、冷陰極素子、EL素子、温度センサー、ガスセンサー等のセンサー材料等に使用することができる。
Usage Use field (In Japanese)冷陰極素子、EL素子、温度センサー、ガスセンサー
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人長岡技術科学大学, . (In Japanese)斎藤 秀俊, 大塩 茂夫, 伊藤 治彦, 内城 貴則, . ELECTRON RELEASING MATERIAL. P2002-274819A. Sep 25, 2002
  • C01B  21/082    
  • C23C  16/34     
  • H01J   1/304    

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