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SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD

Seeds code S100001630
Posted date Oct 4, 2010
Researchers
  • (In Japanese)天野 浩
  • (In Japanese)赤崎 勇
  • (In Japanese)上山 智
Name of technology SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD
Technology summary (In Japanese)メサストライプ状の第1のクラッド層104及び電流ブロック層106上に積層された第1の光ガイド層107、活性層108、キャップ層109、及び第2の光ガイド層110を、第1のクラッド層104の上面104Aと電流ブロック層106の上面106Aとで構成される平面に対応させ、かつ、それらの中央部分を平坦に構成する。更に、電流ブロック層106の階段形状に対応して、平坦部から外方へ向かって階段状に屈曲した構成とする。これにより、メサストライプ状の第1のクラッド層104及び電流ブロック層106の形状に応じて、階段状に屈曲した活性層108を得ることができる。更に、活性層108は積層方向と垂直な方向において階段状に屈曲しているため、屈曲部分において屈折率変化を有している。即ち、活性層108は、横方向において屈折率差を有する屈折率導波構造を呈している。このため、発光した光は、メサストライプ状の第1のクラッド層104上の平坦な部分に閉じ込められて伝搬する。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2000-082580.gif
Research field
  • Lasers in general
  • Semiconductor lasers
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed (In Japanese)半導体レーザの作製時において、高精度なエッチング工程を必要としないことから、従来のリッジ導波路型半導体レーザと同等の性能を有し、かつ、製造歩留まりを向上できる新規な構造の半導体レーザを提供する。
互いにほぼ等しい高さを有する第1のクラッド層の上面と電流ブロック層の近接した部分の上面とに対応した平坦部を有すると共に、各層の積層方向と垂直な方向において電流ブロック層の階段形状に対応し、平坦部から外方に向かって下方に屈曲している活性層を設けることにより、従来のリッジ導波路型半導体レーザと同等の性能を有する半導体レーザを高い製造歩留まりで得ることができる。
Usage Use field (In Japanese)大容量光ディスク装置、レーザビームプリンタ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人名城大学, . (In Japanese)天野 浩, 赤崎 勇, 上山 智, . SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD. P2001-274512A. Oct 5, 2001
  • H01S   5/22     
  • H01S   5/343    

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