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SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Seeds code S100001633
Posted date Oct 4, 2010
Researchers
  • (In Japanese)新田 州吾
  • (In Japanese)湯川 洋平
  • (In Japanese)小嵜 正芳
  • (In Japanese)山口 栄雄
  • (In Japanese)天野 浩
  • (In Japanese)赤崎 勇
Name of technology SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Technology summary (In Japanese)サファイア基板1を、所要の温度まで加熱して基板表面の洗浄を行った後、所要温度まで冷却することにより、サファイア基板1上にAlNからなる緩衝層2を形成する。次に、サファイア基板1を所要温度まで加熱して、アンドープ高抵抗GaNからなる下地層3、n-AlGaNからなる第1の半導体層4、及びn-GaNからなる第2の半導体層5を夫々形成する。次いで、第1、第2の半導体層4、5、及び下地層3に反応性イオンエッチングを施し、開口部を形成する。こうして得られた第2の半導体層5を含めたアセンブリ全体を所要温度まで加熱することで得られた第2の半導体層5は、開口部内にマストランスポートされる。これにより、開口部の近傍の第2の半導体層5は総て消失し、露出した第1の半導体層4から構成される第1の半導体領域14が形成される。同様に、開口部にマストランスポートすることによって第2の半導体領域15が形成される。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2000-181229.gif
Research field
  • Materials of solid‐state devices
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Thin films in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)面内方向において、相異なる導電型のⅢ族窒化物半導体からなる、複数の半導体領域を具える半導体素子を提供する。
基板の面内方向に、相異なる導電型の少なくともAlを含むⅢ族窒化物半導体からなる領域と、Alを除くⅢ族窒化物半導体からなる領域とを形成することにより、面内方向において、相異なる導電型のⅢ族窒化物半導体からなる、複数の半導体領域を具える半導体素子が得られる。
Usage Use field (In Japanese)Al含有Ⅲ族窒化物半導体
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人名城大学, . (In Japanese)新田 州吾, 湯川 洋平, 小嵜 正芳, 山口 栄雄, 天野 浩, 赤崎 勇, . SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD. P2001-358075A. Dec 26, 2001
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/331    
  • H01L  21/338    
  • H01L  29/201    
  • H01L  29/737    
  • H01L  29/74     
  • H01L  29/778    
  • H01L  29/812    

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