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METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING OXIDE SINGLE CRYSTAL

Seeds code S100001650
Posted date Oct 4, 2010
Researchers
  • (In Japanese)北村 健二
  • (In Japanese)古川 保典
  • (In Japanese)竹川 俊二
  • (In Japanese)木村 茂行
Name of technology METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING OXIDE SINGLE CRYSTAL
Technology summary (In Japanese)二重るつぼ34は、貴金属からなる外側るつぼ35と内側るつぼ36とを有し、内側るつぼは、二重るつぼ内の融液表面をさえぎり、融液底部で融液がるつぼ間を連絡するように形成され、外側るつぼの高さ/外側るつぼの直径の比が0.3以上1以下の範囲であり、内側るつぼの直径/外側るつぼの直径の比が0.55以上0、9以下の範囲である。そして、内側るつぼ内の融液内に配置された種結晶40を回転させ、かつ、引き上げながら酸化物単結晶を育成する。育成と同時に、育成された酸化物単結晶の重量を測定し、また密封容器内に保管されている粉体原料45を測定された重量と同じ量だけ外側るつぼと内側るつぼとの間に供給し、一定深さで、成長する結晶組成と一致する一定組成を保った融液とし、更に、二重るつぼを1rpm以上20rpm以下の速度で回転せることによって結晶成長界面の形状を液面に対して強制的にフラット、又は凸になるように融液の対流を制御する。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2000-083448.gif
Research field
  • Techniques and equipment of crystal growth
  • Crystal growth of oxides
Seeds that can be deployed (In Japanese)高品質でかつ大口径で長尺の結晶育成を安定なものとし、しかも低コストでの結晶育成を可能にする。
化学量論組成や、それに限らない組成の結晶に関して結晶育成を安定なものとし、しかも、育成によるるつぼの変形を抑制でき、低コストでの結晶育成が可能になる。
Usage Use field (In Japanese)LiTaO3単結晶、LiNbO3単結晶、酸化物単結晶製造装置
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立研究開発法人物質・材料研究機構, . (In Japanese)北村 健二, 古川 保典, 竹川 俊二, 木村 茂行, . METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING OXIDE SINGLE CRYSTAL. P2000-344595A. Dec 12, 2000
  • C30B  15/12     
  • C30B  29/30     

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