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METHOD OF MANUFACTURING FINE FACET SHAPE ON SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Seeds code S100001795
Posted date Oct 4, 2010
Researchers
  • (In Japanese)浅岡 康
  • (In Japanese)金子 忠昭
  • (In Japanese)佐野直克
Name of technology METHOD OF MANUFACTURING FINE FACET SHAPE ON SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Technology summary (In Japanese)微細ファセット形状作製方法は、まず、単結晶半導体基板1の表面2に、真空中で集束イオンビーム3を照射する。集束イオンビーム3の照射、注入により表面2には、イオンが侵入した損傷領域化領域8が形成される。これら損傷領域化領域8は、イオンの注入によって、結晶構造が不安定となり、表面2の他の領域に比べ、反応性が高くなる。このため、融液層を介して熱処理を行うと、熱処理時の温度勾配の方向によっては、この損傷領域化領域8の元素が選択的にエッチングされて、融液層に溶出される。あるいは、エピタキシャル成長するようになる。結晶半導体基板1のイオンが注入された損傷領域化領域8が形成された表面2を極薄の融液層側に面するようにして、他の半導体基板とこの融液層を挟み込む。そして、単結晶半導体基板1の他面側にヒータをセットして、単結晶半導体基板1側から他の半導体基板に対して温度勾配が形成されるように熱処理を行う。その際、ある所定の結晶方位を有する単結晶基板とした場合は、その表面にファセット面を有した微細なファセット形状を形成させることができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2003-059871.gif
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Electron and ion beams
Seeds that can be deployed (In Japanese)各種の半導体基板表面に自在にファセット制御された微細構造体を作製する。
任意の微細なファセット形状を半導体基板表面に形成できる。このため、各種半導体デバイスはもとより、生体分子手術基板等への適用も可能となる。
Usage Use field (In Japanese)半導体基板表面の微細加工技術、生体分子手術基板
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)浅岡 康, 金子 忠昭, 佐野直克, . METHOD OF MANUFACTURING FINE FACET SHAPE ON SURFACE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE. P2004-273610A. Sep 30, 2004
  • H01L  21/208    
  • H01L  21/306    
  • H01S   5/18     

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