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SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT

Seeds code S100001911
Posted date Oct 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)角谷 正友
  • (In Japanese)福家 俊郎
  • (In Japanese)吉村 克彦
Name of technology SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
Technology summary (In Japanese)ペロブスカイト構造を有する(La0.29Sr0.71)(Al0.65Ta0.35)O3組成の単結晶材料からなる基板上に、AlN下地層を、好ましくは9~18nmの厚さに形成する。次いで、このAlN下地層上に、好ましくは700~1100℃の温度で、GaN単結晶層をエピタキシャル成長させて形成する。このAlN下地層は、GaN単結晶層を形成する際に使用するアンモニアガスと基材との反応を阻止するように機能する。
Research field
  • Techniques and equipment of crystal growth
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)GaN単結晶と常温のみならず層形成時の加熱時においても格子定数が極めて一致する基板を用い、貫通転位の極めて少ないGaN単結晶層を有する半導体素子を得る。
簡易な方法によって低転位密度の結晶性に優れたGaN単結晶層を具える半導体素子を得ることができ、この半導体素子を発光デバイス又は受光デバイスとして用いた場合に、それらを長命化することができる。
Usage Use field (In Japanese)発光デバイス、トランジスタ、太陽電池、光センサ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人静岡大学, . (In Japanese)角谷 正友, 福家 俊郎, 吉村 克彦, . SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT. P2002-037698A. Feb 6, 2002
  • C30B  29/22     
  • C30B  29/38     
  • H01L  31/04     
  • H01L  31/10     
  • H01L  33/00     

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