Top > Search Technology seeds > SYNTHETIC METHOD FOR MAGNESIUM SILICIDE AND MANUFACTURING METHOD FOR THERMOELECTRIC ELEMENT MODULE

SYNTHETIC METHOD FOR MAGNESIUM SILICIDE AND MANUFACTURING METHOD FOR THERMOELECTRIC ELEMENT MODULE

Seeds code S100001915
Posted date Oct 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)細野 徹朗
  • (In Japanese)倉本 護
  • (In Japanese)松沢 勇介
  • (In Japanese)百瀬 与志美
  • (In Japanese)立岡 浩一
  • (In Japanese)桑原 弘
Name of technology SYNTHETIC METHOD FOR MAGNESIUM SILICIDE AND MANUFACTURING METHOD FOR THERMOELECTRIC ELEMENT MODULE
Technology summary (In Japanese)Si塊3を所望の形状に加工し、加工されたSi塊にp型予定領域およびn型予定領域を画定し、Si塊のp型予定領域に、p型ドーパントを選択的に導入してp型領域を形成し、Si塊をマグネシウム2雰囲気の真空容器1内で200℃~1102℃に1.5時間以上加熱してマグネシウムシリサイドを合成する。Si塊のp型予定領域10aにp型ドーパントを導入するとともに、Si塊のn型予定領域10bにn型ドーパントを導入する。ドーパントは、真空蒸着法または塗布法により導入される。p型ドーパントはCuおよびAgから選択され、n型ドーパントはSbである。この製法により、交互に接続されたp型およびn型の領域を有するマグネシウムシリサイドを具備する熱電素子モジュール12を製造する。雰囲気中のマグネシウムとバルク中のSiとの相互拡散によって、Mg2Siを生成する。ドーパントを添加しない場合には、得られるMg2Siはn型11bとなり、n型ドーパントを添加することによってドナー密度を制御することができる。一方、p型ドーパントを添加した場合には、p型のMg2Si11aを合成することが可能である。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2002-171339_1.gif thum_2002-171339_2.gif
Research field
  • Materials of solid‐state devices
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Production and handling of solid in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)伝導制御された所望の形状のマグネシウムシリサイドを、簡便で安価に合成する方法、および高効率の熱電素子モジュールを安全かつ簡便に製造する方法を提供する。
Si塊の原型を保持したままMg2Siを作製できるため、複雑な形状を有するMg2Si型熱電素子を作製することが可能となる。こうして得られたMg2Si型熱電素子は、固体冷却器、廃熱発電機などの熱電変換素子等の多くの用途に好適に用いることができ、その工業的価値は絶大である。
Usage Use field (In Japanese)熱電変換素子、固体冷却器、廃熱発電
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人静岡大学, . (In Japanese)細野 徹朗, 倉本 護, 松沢 勇介, 百瀬 与志美, 立岡 浩一, 桑原 弘, . SYNTHETIC METHOD FOR MAGNESIUM SILICIDE AND MANUFACTURING METHOD FOR THERMOELECTRIC ELEMENT MODULE. P2004-018274A. Jan 22, 2004
  • C01B  33/06     
  • H01L  35/14     
  • H01L  35/34     

PAGE TOP