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LARGE-AREA NEGATIVE ION SOURCE

Seeds code S100001916
Posted date Oct 6, 2010
Researchers
  • (In Japanese)三重野 哲
  • (In Japanese)鶴田 修一
Name of technology LARGE-AREA NEGATIVE ION SOURCE
Technology summary (In Japanese)真空容器1の始端側は電子サイクロトロン共鳴領域ECRであり、まず、真空容器1内をターボ分子ボンプPにより真空引きして高度の真空状態とする。真空容器1内にはその周囲に長手方向に沿って環状に配置されたソレノイドコイル3a、3bにより長手方向に直線の磁場が作られる。そして、マイクロ波照射手段9によりマイクロ波を石英ガラス7ごしに照射し、マイクロ波の電場を作る。また、負性ガス供給手段5によりフッ化炭素CF4を供給する。こうするとフッ化炭素CF4が電離され、放電が起き、電子サイクロトロン共鳴領域ECRにフッ化炭素CF4のプラズマが発生する。真空容器1の後部側には多数の孔13を穿った孔付き遮蔽板11が配置されている。この孔13から糸状をなすストリングプラズマSPが流出する。多数のストリングプラズマプラズマSPを集積させれば、各ストリングプラズマSPの周囲に負イオンが集積されて、それらが大面積の負イオンを形成する。この負イオンは、真空容器1の終端に設けたグリッド状加速電極15に電圧をかけ、電場加速により負イオンを加速してイオンビームとして取り出され、微細プラズマエッチング等に使用される。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2002-181340.gif
Research field
  • Electron and ion sources
  • Electron and ion beams
  • Ion emission
Seeds that can be deployed (In Japanese)大面積で高密度であり且つ定常的に負イオンを生成することができる大面積負イオン源を提供する。
ECR磁化プラズマ装置を使用してマルチストリングプラズマを定常的に生成することができる。また、生成したマルチストリングプラズマの周囲に定常的に負イオンを蓄積することができる。よって、真空容器の容量、孔付き遮蔽板の面積、孔の数などによって任意の大面積、且つ高密度の負イオンを定常的に作ることができる。
Usage Use field (In Japanese)微細プラズマエッチング方法、半導体プロセス
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人静岡大学, . (In Japanese)三重野 哲, 鶴田 修一, . LARGE-AREA NEGATIVE ION SOURCE. P2004-030962A. Jan 29, 2004
  • H01J  27/18     
  • H01J  37/08     
  • H01L  21/3065   
  • H05H   1/46     

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